Dysk SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0 (7250/6300 MB/s)

EAN: 8806095575650 SKU PASASS620070 Categories , , Brand:

2111,00 

Dostępny. Wysyłka w 24h.

Dysk SAMSUNG 990 EVO Plus 2TB SSD

blank
  • Rodzaj dysku: SSD
  • Pojemność dysku: 2 TB
  • Typ dysku: Wewnętrzny
  • Format: M.2
  • Interfejs: PCI Express 4.0 x4 NVMe, PCI Express 5.0 x2 NVMe
  • Kolor: Czarny
  • Maksymalna prędkość: Odczytu 7250 MB/s, Zapisu 6300 MB/s

990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7,250/ 6,300 MB/s. Natychmiastowy transfer ogromnych plików. Zoptymalizowana wydajność, zwiększone możliwości. Pokryty niklem kontroler zwiększa przepustowość MB/s na wat o 73%, osiągając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub zabawie bez obaw o przegrzanie lub żywotność baterii.

blank
blank
  • Rodzaj dysku: SSD
  • Pojemność dysku: 2 TB
  • Typ dysku: Wewnętrzny
  • Format: M.2
  • Interfejs: PCI Express 4.0 x4 NVMe, PCI Express 5.0 x2 NVMe
  • Maksymalna prędkość odczytu [Mb/s]: 7250
  • Maksymalna prędkość zapisu [Mb/s]: 6300
  • Prędkość interfejsu: Brak danych
  • Prędkość obrotowa [obr/min]: Nie dotyczy
  • Inne: Funkcja TRIM, NVMe 2.0, Oprogramowanie zarządzające: Samsung Magician, Szyfrowanie 256-bit AES, Technologia Intelligent TurboWrite 2.0, Technologia SMART, Technologia V-NAND, Tryb uśpienia
  • Głębokość [mm]: 22.15
  • Szerokość [mm]: 80.15
  • Wysokość [mm]: 2.38
  • Waga [g]: 9
  • Dołączone akcesoria: Nie dotyczy
  • Załączona dokumentacja: Instrukcja obsługi
  • Kolor: Czarny
  • Kod producenta: MZ-V9S2T0BW
blank
Weight 0,07 kg
Dimensions 14,5 × 2 × 10 cm
Informacje dodatkowe
Interfejs

M.2 PCIe NVMe

Opis ogólny

SSD Samsung 990 EVO Plus 2TB M.2 2280 PCIe 4.0/5.0 NVMe 2.0 7250/6300 MB/s

Rodzina dysków

990 EVO Plus

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF)

1500000.000 h

Format dysku

M.2 2280

Typ dysku

SSD

Odczyt losowy

1000000.000 IOPS

Zapis losowy

1350000.000 IOPS

Prędkość odczytu (max)

7250.000 MB/s

Prędkość zapisu (max)

6300.000 MB/s

Typ kości pamięci

V-NAND

TBW (ang. Total Bytes Written)

1200.000

Technika zapisywania danych

TLC

Wsparcie dla technologii TRIM

TAK

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.

TAK

Cechy

2TB;7250/6300 MB/s

Baza SCIP

Nie

Gwarancja producenta [mies.]

60.000

KWiU

ex 26.20.22.0

Klasa Logistyczna

2

Symbol producenta

MZ-V9S2T0BW

Marka

SAMSUNG

GPSR – Certyfikaty i deklaracje

CE

GPSR – ID producenta

41249

GPSR – Producent nazwa

SAMSUNG

GPSR – Producent ulica

PO Box 12987

GPSR – Producent kod pocztowy

D01F5P

GPSR – Producent miejscowość

Dublin

GPSR – Producent kraj

IE

GPSR – Producent email

www.samsung.com/support

GPSR – ID podmiotu odpowiedzialnego

41249

GPSR – Podmiot odpowiedzialny nazwa

SAMSUNG

GPSR – Podmiot odpowiedzialny ulica

PO Box 12987

GPSR – Podmiot odpowiedzialny kod pocztowy

D01F5P

GPSR – Podmiot odpowiedzialny miejscowość

Dublin

GPSR – Podmiot odpowiedzialny kraj

IE

GPSR – Podmiot odpowiedzialny email

www.samsung.com/support

Pojemność dysku

2 TB